| SPP20N60C3XKSA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SPP20N60C3XKSA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 |
| quantità disponibile | 35661 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Schede tecniche | 1.SPP20N60C3XKSA1.pdf2.SPP20N60C3XKSA1.pdf |
| SPP20N60C3XKSA1 Price |
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| Informazioni tecniche di SPP20N60C3XKSA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SPP20N60C3XKSA1 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 |
| Pacchetto / caso | PG-TO220-3-1 | quantità disponibile | 35661 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Stato del prodotto | Active | Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | Pacchetto | Tube |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) | Numero di prodotto di base | SPP20N60 |
| Scaricare | SPP20N60C3XKSA1 PDF - EN.pdf | ||
SPP20N60C3XKSA1
Transistor MOSFET di potenza N-channel ad alte prestazioni
International Rectifier (Infineon Technologies)
Tecnologia MOSFET, serie CoolMOS, tipo N-Channel
Tensione Drain-to-Source di 600V, corrente continua di drenaggio di 20.7A a 25°C, dissipazione di potenza fino a 208W, Rds On a 190 mOhm
Transistor a effetto di campo a semiconduttore metallico-ossido
Involucro TO-220-3, tipo di montaggio a foro passante, imballaggio a tubo
Durata superiore
Elevata capacità di tensione, basso carico del gate
Ottimizzato per l'efficienza energetica
Compatibile con montaggio a foro passante
Senza piombo, conforme RoHS
Costruzione durevole per un utilizzo a lungo termine
Adatto per applicazioni di conversione di potenza
| Azione SPP20N60C3XKSA1 | Prezzo SPP20N60C3XKSA1 | Elettronica SPP20N60C3XKSA1 | |||
| Componenti SPP20N60C3XKSA1 | Inventario SPP20N60C3XKSA1 | SPP20N60C3XKSA1 Digikey | |||
| Fornitore SPP20N60C3XKSA1 | Ordina SPP20N60C3XKSA1 online | Inchiesta SPP20N60C3XKSA1 | |||
| Immagine SPP20N60C3XKSA1 | Immagine SPP20N60C3XKSA1 | SPP20N60C3XKSA1 PDF | |||
| Datasheet SPP20N60C3XKSA1 | Scarica la scheda tecnica SPP20N60C3XKSA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per SPP20N60C3XKSA1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
| SPP20N60CFDHKSA1 | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 | Infineon Technologies | |||
| SPP20N60CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 | Infineon Technologies | |||
| SPP20N60S5 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 | Infineon Technologies | |||
| SPP20N60S5HKSA1 | HIGH POWER_LEGACY | Infineon Technologies | |||
| SPP20N65C3 | SPP20N65C3 INF | Infineon | |||
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SPP20M-E3 | SPP20M-E3 VISHAY | VISHAY | ||
| SPP20N60CFD | SPP20N60CFD INF | INFINEO | |||
| SPP20M60C3 | SPP20M60C3 INFINEON | INFINEON | |||
| SPP20N60C3 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Infineon Technologies | |||
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SPP20N06C2 | SPP20N06C2 INFINEON | INEON | ||
| SPP20N60C2 20N60C2 | INFINEON TO-220 | INFINEON | |||
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SPP2095T252RG MOS | VBSEMI TO252-2 | VBSEMI | ||
| SPP20N60CFD IC | INFINEON TO220 | INFINEON | |||
| SPP20N60S5XKSA1 | HIGH POWER_LEGACY | Infineon Technologies | |||
| SPP20N60C3 MOS | INFINEON TO-220 | INFINEON | |||
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SPP20N60C2 | SPP20N60C2 Original | INEON | ||
| SPP20N60S5 20N60S5 | INFINEON TO-220 | INFINEON | |||
| SPP20N60C3HKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 | Infineon Technologies | |||
| SPP20N60CFD 20N60CFD | INFINEON TO-220 | INFINEON | |||
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SPP20N50C3 | SPP20N50C3 Original | INEON | ||
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