| STH185N10F3-6 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | STH185N10F3-6 |
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 |
| quantità disponibile | 18970 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Schede tecniche | 1.STH185N10F3-6.pdf2.STH185N10F3-6.pdf |
| STH185N10F3-6 Price |
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| Informazioni tecniche di STH185N10F3-6 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | STH185N10F3-6 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | STMicroelectronics | Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 |
| Pacchetto / caso | H2PAK-6 | quantità disponibile | 18970 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | H2PAK-6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Stato del prodotto | Obsolete | Dissipazione di potenza (max) | 315W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6665 pF @ 25 V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) | Numero di prodotto di base | STH185 |
| Scaricare | STH185N10F3-6 PDF - EN.pdf | ||
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| Immagine STH185N10F3-6 | Immagine STH185N10F3-6 | STH185N10F3-6 PDF | |||
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