M13S2561616A-5TI
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Modello del Prodotto

M13S2561616A-5TI

Introduzione

DRAM CMOS ad alta velocità

Marca e Produttore

ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology)

Caratteristiche

Ampia larghezza di banda dati; bassa latenza; compatibile con altri DRAM standard; lunghezza di burst programmabile; sequenza di burst programmabile; operazioni a più banche per elaborazione concorrente.

Prestazioni del Prodotto

Tempi di accesso e ciclo rapidi; stabilità nella ritenzione dei dati; alta affidabilità per ambienti di calcolo intensivi; consumo energetico efficiente.

Specifiche Tecniche

Tecnologia: CMOS; organizzazione: 256M x 16; velocità: -5TI; tensione di alimentazione: 3.3V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto TSOP-II; dimensioni standard IC per moduli di memoria; confezionato in vassoi o nastro e bobina.

Qualità e Affidabilità

Ampio intervallo di temperature; test approfonditi per l'integrità dei dati; conformità agli standard JEDEC.

Vantaggi del Prodotto

Migliorate capacità di throughput dei dati; robusta performance termica; integrazione senza problemi nel design del sistema.

Competitività del Prodotto

Prezzi competitivi; forte rapporto prestazioni-consumo energetico.

Compatibilità

Compatibile con socket DRAM standard; interoperabile con vari chipset e processori.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme agli standard JEDEC per DRAM; conforme alla direttiva RoHS.

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga durata operativa; componenti selezionati per durata e longevità.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di calcolo; hardware di rete; telecomunicazioni; sistemi embedded; applicazioni industriali.

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