R6024KNX
Modello di prodotti R6024KNX
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione NCH 600V 24A POWER MOSFET
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di R6024KNX
codice articolo del costruttore R6024KNX Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante LAPIS Semiconductor Descrizione NCH 600V 24A POWER MOSFET
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 3085 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 165 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
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