| IXFN70N60Q2 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IXFN70N60Q2 |
| fabbricante | IXYS Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| quantità disponibile | 2993 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | IXFN70N60Q2.pdf |
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| Informazioni tecniche di IXFN70N60Q2 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IXFN70N60Q2 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | IXYS Corporation | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
| Pacchetto / caso | Tube | quantità disponibile | 2993 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 8mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 80 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 70A |
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| Datasheet IXFN70N60Q2 | Scarica la scheda tecnica IXFN70N60Q2 | Produttore IXYS Corporation | |||
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