| IRF6722STR1PBF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IRF6722STR1PBF |
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| quantità disponibile | 2801 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| Informazioni tecniche di IRF6722STR1PBF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IRF6722STR1PBF | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Pacchetto / caso | Tape & Reel (TR) | quantità disponibile | 2801 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 50µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 13A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric ST |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 58A (Tc) |
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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