NSVMMUN2212LT1G
Modello di prodotti NSVMMUN2212LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di NSVMMUN2212LT1G
codice articolo del costruttore NSVMMUN2212LT1G Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 3061 pcs
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Serie - Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms Potenza - Max 246mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi NSVMMUN2212LT1G-ND
NSVMMUN2212LT1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
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