NSVMMBT6520LT1G
Modello di prodotti NSVMMBT6520LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di NSVMMBT6520LT1G
codice articolo del costruttore NSVMMBT6520LT1G Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 2918 pcs
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor PNP Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Serie - Potenza - Max 225mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi NSVMMBT6520LT1G-ND
NSVMMBT6520LT1GOSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA  
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Fornitore NSVMMBT6520LT1GOrdina NSVMMBT6520LT1G online Inchiesta NSVMMBT6520LT1G
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