PHM25NQ10T,518
Modello di prodotti PHM25NQ10T,518
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
quantità disponibile 2559 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di PHM25NQ10T,518
codice articolo del costruttore PHM25NQ10T,518 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale Descrizione MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 2559 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-HVSON (6x5) Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 30 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 20V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26.6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 100V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30.7A (Tc)
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