APT12057JLL | |
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Modello di prodotti | APT12057JLL |
fabbricante | Microsemi |
Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
quantità disponibile | 3142 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | |
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Informazioni tecniche di APT12057JLL | |||
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codice articolo del costruttore | APT12057JLL | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
fabbricante | Microsemi | Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
Pacchetto / caso | Bulk | quantità disponibile | 3142 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-227 | Serie | POWER MOS 7® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A |
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