APT12057B2LLG
Modello di prodotti APT12057B2LLG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di APT12057B2LLG
codice articolo del costruttore APT12057B2LLG Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Microsemi Descrizione MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Pacchetto / caso Bulk quantità disponibile 2594 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs 570 mOhm @ 11A, 10V Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
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