APT1201R4BFLLG
Modello di prodotti APT1201R4BFLLG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
quantità disponibile 2986 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di APT1201R4BFLLG
codice articolo del costruttore APT1201R4BFLLG Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Microsemi Descrizione MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Pacchetto / caso Tube quantità disponibile 2986 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] Serie POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
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