APT11GP60BDQBG
Modello di prodotti APT11GP60BDQBG
fabbricante Microsemi
Descrizione IGBT 600V 41A 187W TO247
quantità disponibile 2578 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di APT11GP60BDQBG
codice articolo del costruttore APT11GP60BDQBG Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Microsemi Descrizione IGBT 600V 41A 187W TO247
Pacchetto / caso Tube quantità disponibile 2578 pcs
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 11A
Condizione di test 400V, 11A, 5 Ohm, 15V Td (on / off) @ 25 ° C 7ns/29ns
di scambio energetico 46µJ (on), 90µJ (off) Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3
Serie POWER MOS 7® Potenza - Max 187W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT PT
carica gate 40nC Descrizione dettagliata IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 45A Corrente - collettore (Ic) (max) 41A
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Fornitore APT11GP60BDQBGOrdina APT11GP60BDQBG online Inchiesta APT11GP60BDQBG
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