APT11F80S
Modello di prodotti APT11F80S
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di APT11F80S
codice articolo del costruttore APT11F80S Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Microsemi Descrizione MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Pacchetto / caso Tube quantità disponibile 2626 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D3Pak Serie POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 337W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2471pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 800V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
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