| APL1001J | |
|---|---|
| Modello di prodotti | APL1001J |
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 |
| quantità disponibile | 2014 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| APL1001J Price |
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| Informazioni tecniche di APL1001J | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | APL1001J | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Microsemi | Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 |
| Pacchetto / caso | IGBT Module | quantità disponibile | 2014 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 2.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A |
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| Azione APL1001J | Prezzo APL1001J | Elettronica APL1001J | |||
| Componenti APL1001J | Inventario APL1001J | APL1001J Digikey | |||
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