APT12067B2FLLG
Modello di prodotti APT12067B2FLLG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
quantità disponibile 2847 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di APT12067B2FLLG
codice articolo del costruttore APT12067B2FLLG Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Microsemi Descrizione MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Pacchetto / caso Tube quantità disponibile 2847 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs 670 mOhm @ 9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 565W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
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