IXDN602SIATR
Modello di prodotti IXDN602SIATR
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
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Informazioni tecniche di IXDN602SIATR
codice articolo del costruttore IXDN602SIATR Categoria Circuiti integrati (CI)
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division Descrizione 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 4599 pcs
Tensione di alimentazione - 4.5 V ~ 35 V Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC
Serie - Tempo di salita / scadenza (Typ) 7.5ns, 6.5ns
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Frequenza di ingresso 2
Tipo montaggio Surface Mount Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V
Tipo di ingresso Non-Inverting Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configurazione guidata Low-Side Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 2A, 2A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent IXDN602SIATR Dettagli PDF [English] IXDN602SIATR PDF - EN.pdf
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