CPC5603CTR
Modello di prodotti CPC5603CTR
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di CPC5603CTR
codice articolo del costruttore CPC5603CTR Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante IXYS Integrated Circuits Division Descrizione MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 2543 pcs
Vgs (th) (max) a Id - Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore SOT-223
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 14 Ohm @ 50mA, 350mV
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 0V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Depletion Mode Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -
Tensione drain-source (Vdss) 415V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5mA (Ta)
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