IXSQ20N60B2D1
Modello di prodotti IXSQ20N60B2D1
fabbricante IXYS Corporation
Descrizione IGBT 600V 35A 190W TO3P
quantità disponibile 2638 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di IXSQ20N60B2D1
codice articolo del costruttore IXSQ20N60B2D1 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante IXYS Corporation Descrizione IGBT 600V 35A 190W TO3P
Pacchetto / caso Bulk quantità disponibile 2638 pcs
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 16A
Condizione di test - Td (on / off) @ 25 ° C 30ns/116ns
di scambio energetico 380µJ (off) Contenitore dispositivo fornitore TO-3P
Serie - Tempo di ripristino inverso (trr) 30ns
Potenza - Max 190W imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT PT carica gate 33nC
Corrente - collettore Pulsed (Icm) - Corrente - collettore (Ic) (max) 35A
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