| IXFE50N50 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IXFE50N50 |
| fabbricante | IXYS Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B |
| quantità disponibile | 2500 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
| IXFE50N50 Price |
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| Informazioni tecniche di IXFE50N50 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IXFE50N50 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | IXYS Corporation | Descrizione | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B |
| Pacchetto / caso | Bulk | quantità disponibile | 2500 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 8mA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-227B | Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
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| Azione IXFE50N50 | Prezzo IXFE50N50 | Elettronica IXFE50N50 | |||
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