2SK3747
Modello di prodotti 2SK3747
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML
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Informazioni tecniche di 2SK3747
codice articolo del costruttore 2SK3747 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML
Pacchetto / caso Tray quantità disponibile 8434 pcs
Vgs (th) (max) a Id - Vgs (Max) ±35V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-3PML
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 13 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 50W (Tc) imballaggio Tray
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 1500V Descrizione dettagliata N-Channel 1500V 2A (Ta) 3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-3PML
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
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